近日，台积电宣布完成1.6nm级A16工艺开发验证，计划今年第四季度量产。这是台积电首个采用"超级电源轨"（Super Power Rail，SPR）背面供电网络的埃米级CMOS平台，标志着先进制程从纳米时代正式迈入埃米时代。

A16 的核心突破是 SPR 背面供电架构。传统芯片正面同时承载供电与信号线路，制程越微缩，布线越拥堵，电阻压降越严重。SPR 将电源网络迁至晶圆背面，通过专用垂直接点直接向晶体管供电，实现供电与信号物理分离 —— 正面专责信号传输，供电从背面 "直送"，既减少干扰，又不牺牲晶体管密度。

相比增强版2nm N2P工艺，A16在同等功耗下性能提升8%-10%，同等性能下功耗降低15%-20%，芯片密度提升8%-10%。更重要的是，A16不需要High-NA EUV光刻机，使用现有EUV设备即可生产，大幅降低设备投资门槛；同时保留对既有设计的兼容性，客户从2nm迁移无需大规模重构，迁移成本可控。

供应链消息显示，英伟达已锁定A16制程用于下一代“费曼”GPU，计划2028年下半年量产，将组合使用SoIC、CoWoS-L等先进封装技术并首次大规模导入共封装光学技术，系统级带宽目标突破1,000TB/s。

为保障量产，台积电本月批准约 294 亿美元资本支出，台积电本月批准294亿美元资本支出，专项用于先进制程与封装产能扩建。与此同时，CoWoS 先进封装产能持续紧张，部分后段订单外溢至英特尔马来西亚工厂。

背面供电是埃米时代的关键分水岭。台积电率先量产A16，进一步巩固了其在埃米级制程的技术定义权。

在台积电凭借A16工艺引领埃米时代技术浪潮的同时，对于搭载这些先进芯片的终端设备而言，其高速接口的静电防护也变得至关重要。尤其是在Type-C等高速数据接口普及的今天，如何确保数据传输的稳定与安全，成为设备制造商必须面对的挑战。为此，专业的ESD防护方案不可或缺。

深圳ESD芯片厂家晶扬电子推荐一款低电容双向 TVS 管——TT0501SB，采用 DFN1006‑2L 封装，主要应用于手机、相机、智能终端的 Type‑C 高速数据线，兼顾静电防护与高速信号完整性。

该器件典型寄生电容仅 0.35pF，极低容值可以最大限度降低对高速差分信号的干扰，避免 USB3.x、视频传输出现信号衰减、眼图恶化、传输丢包、速率下降等问题，适配 Type‑C 接口高速数据与视频输出场景。器件为双向结构，可同时泄放正、负向静电脉冲，无需区分信号极性，单颗器件保护一条高速数据线。

防护性能上，TT0501SB 满足 IEC61000‑4‑2 标准，可承受 ±25kV 空气放电、±20kV 接触放电，同时抵御线缆放电事件 CDE。正常工作时器件维持高阻状态；当 Type‑C 接口因插拔、人手触碰引入静电冲击，电压超过 8V 开启电压，器件迅速导通，将静电能量泄放到地，钳位电压控制在 13V 以内，保护后端 SoC、PMU 芯片，避免出现接口失效、设备死机、数据传输中断故障，尤其适合运动相机这类户外使用、静电风险更高的便携设备。

DFN1006‑2L 超小型封装，适配终端狭小 PCB 空间，可紧贴 Type‑C 连接器布局，缩短泄放路径，提升防护效果。在整套终端方案中，TT0501SB 专门负责高速数据链路防护，与 VBUS 电源 TVS、充电通路 TVS 分工配合，实现接口完整防护。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。

晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者，更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者，专注于研发高效、可靠的ESD保护器件，为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。

主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC、LDO系列、工业&车规传感器、高边开关（HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有：电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。

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