据台媒最新报道，台积电正考虑在2026年下半年将3nm制程价格上调最多15%，同时还有迹象显示，台积电2027年可能进一步将3nm制程价格再提高5%至10%。这一连串涨价动作，被外界普遍视为对当前AI加速器、旗舰手机芯片以及高性能计算需求爆发式增长的直接回应——产能供不应求，定价权自然回到了台积电手中。
事实上，这并非台积电首次提价。此前，其2nm制程价格已较3nm高出约50%，而计划于2026年推出的1.6nm制程，晶圆单价预计将飙升至4.5万美元，几乎是3nm的两倍。价格阶梯式攀升的背后，是台积电对先进工艺技术壁垒的持续变现。
然而，面对持续涨价，大客户们开始坐不住了。苹果、英伟达等科技巨头正加速分散代工订单，降低对单一供应商的依赖。而全球第二大晶圆代工厂三星，恰好成为最大受益者。三星的先进制程价格本就显著低于台积电，技术上也未掉队——其率先推出了3nm GAA工艺，良率已显著提升，业内人士估计其2nm良率约达60%，已触及大规模量产门槛。业内观察认为，三星今年有望拿下更多大额订单。
台积电对此并未坐以待毙。近期，台积电正与英伟达展开深度合作，在计算光刻、晶体管仿真、晶圆检测等关键环节引入英伟达的加速计算和AI技术，旨在缩短生产周期、提升良率与运营效率。台积电CEO魏哲家表示，双方的长期合作将进一步巩固台积电的技术领先优势。
一场围绕先进制程的定价博弈，正在重塑全球芯片代工的竞争格局。
然而，先进制程的步步紧逼与晶体管密度的极致攀升，也让芯片自身的物理脆弱性达到了前所未有的高度。当台积电与三星在纳米尺度上争锋相对时，下游终端产品正将这暴增的算力转化为更极致的性能体验——其中最直接的体现，便是顺应AI端侧与高速计算需求而爆发的240W大功率快充。巨大的功率跳变与复杂的插拔环境，让原本就娇贵的先进制程芯片直面静电与浪涌的致命威胁。算力要拉满，防护必须前置。这就将产业焦点从晶圆厂的光刻机，引向了更前端的接口防护器件。
深圳ESD厂家晶扬电子推出的TS1801NB 是适配 18V 规格 Type‑C PD 快充 CC、SBU 引脚的专用 TVS 防护器件，主要用于 USB‑PD EPR 大功率快充（最高 240W）接口防护，针对性解决 Type‑C 插拔错位、静电冲击、电源浪涌带来的端口损坏问题。该产品采用 DFN1006 微型贴片封装，适配快充设备紧凑的 PCB 布线设计。
从电气参数来看，器件额定工作电压 18V、开启电压 19V，匹配 EPR 快充 18V 供电档位，设备正常快充工作时 TVS 保持截止，不会干扰 CC/SBU 之间 PD 协议握手、功率档位协商等通信；25pF 低结电容特性，最大程度保留信号完整性，杜绝因寄生电容造成快充握手异常、功率跳档、快充中断等故障。器件峰值脉冲电流 28A、钳位电压 24.5V，可在浪涌入侵瞬间快速泄放大电流，将引脚电压限制在安全区间。
Type‑C 结构设计中 CC、SBU 引脚极易在插头插拔错位时搭接 VBUS，EPR 快充 VBUS 电压最高可达 48V，高压倒灌极易烧毁快充管理芯片。TS1801NB 依托 18V 耐压规格，可在引脚误搭接高压时立刻导通钳压，阻挡 VBUS 高压侵入后端主控。同时产品可承受 30kV 接触与空气静电放电，满足大功率快充严苛的抗静电要求，释放人体插拔、环境感应带来的静电干扰。
同系列 TS1521NB‑IN 适配 12V、TS1541NB 适配 15V 快充场景，TS1801NB 精准覆盖 18V 大功率 EPR 快充需求，在保障快充通讯稳定的基础上，实现过压、静电、浪涌三重防护，是 240W 大功率 Type‑C 快充接口的核心防护元器件。
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。
晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者，更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者，专注于研发高效、可靠的ESD保护器件，为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。
主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC、LDO系列、工业&车规传感器、高边开关（HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有：电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。
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