路透社消息，三星电子和SK海力士正在升级在华工厂，计划生产更先进的存储芯片。

自2022年美国对芯片设备实施出口管制，韩企想在中国工厂装刻蚀机等美制设备，每年都得申请许可。美国商务部此前明确表态，不会批准外企在华工厂的技术升级与产能扩张。地缘限制直接拖累韩企在华业务，也给国产厂商让出增长空间。

三星西安工厂占其全球NAND产量约40%，目前生产约200层芯片，正改造以生产286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆，2027年底提升至4万片。

SK 海力士大连工厂，源自当年收购的英特尔 NAND 业务，也就是筹备赴美上市的 Solidigm。工厂目前量产 192 层 NAND，计划升级至 240 层以上，还在争取许可开展 300 层以上产品研发，同步磋商在美国新建 NAND 工厂。

市场格局已经发生明显反转。Omdia 数据显示，今年二季度长江存储拿下国内 NAND 市场 38.5% 份额，远超去年的 28%，一举反超三星。三星份额下滑至 33.5%，SK 海力士降至 17%。长江存储主力为160层、232层产品，同时已小规模量产 294 层芯片，并计划突破 300层以上高阶 NAND。

一边是中国庞大的 AI 存储市场红利，一边是美国持续收紧的芯片管制。三星和海力士把在华工艺向韩国本土靠拢，说到底是被逼出来的选择。

而长江存储的崛起，正在让这场技术与地缘的博弈，变得更加微妙。

宏观层面的芯片博弈波谲云诡，而产业竞争的浪潮最终会传导至每一个细分元器件市场。当存储巨头在地缘与技术之间寻找平衡时，本土半导体产业链的各个环节也在加速突围——以静电防护（ESD）器件为例，国产厂商正以扎实的产品力切入智能终端供应链。

深圳ESD芯片厂家晶扬电子推荐一款双向 TVS管——TS1521NB-IN，封装采用 DFN1006，主要部署在手机、运动相机、智能终端的无线充电磁感线圈回路，为无线充电接收端提供静电、浪涌冲击防护，保障 PMU 电源管理芯片稳定工作。

从核心参数来看，器件持续工作电压 VRWM=15V，击穿电压 VBR=16V，适配主流 15W 无线充电接收端电压区间；钳位电压 Vc=20.5V，峰值脉冲电流 Ipp=35A，漏电流 IR 低至 0.05μA，结电容 Cj=25pF，兼顾大能量泄放能力与低漏电特性。静电防护等级可达接触放电 ±30kV、空气放电 ±30kV，满足消费类智能终端严苛 ESD 测试标准。

在智能手机无线充电场景，无线充线圈在充电磁耦合、插拔、异物扰动时极易感应出高压尖峰，容易击穿后端 PMU 供电引脚。TS1521NB-IN 并联在线圈后端，当瞬态高压来袭时快速导通，将浪涌电流泄放到地，把电压钳位在 20.5V 以内，避免电源芯片损坏；极低漏电流不会造成无线充电静态功耗升高，结电容 25pF 对无线充谐振回路影响可控，不会干扰 Qi 协议通信与能量传输效率。

对于运动相机、便携智能终端，设备经常在户外使用，外壳、磁吸充电触点极易接触静电，无线充线圈回路是静电侵入的重要通道。该器件 DFN1006 小型封装适配终端紧凑的 PCB 布局，节省主板空间，双向结构无极性要求，贴片生产更便捷。

对比低容高速 ESD 管，TS1521NB-IN 主打电源侧大能量浪涌防护，不适合高速数据线；搭配 TT0521SA、TFC0501M 等数据口 ESD / 共模滤波器，可组成完整 Type‑C + 无线充防护方案，同时兼顾高速信号完整性与电源浪涌防护，提升整机可靠性，降低返修率。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。

晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者，更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者，专注于研发高效、可靠的ESD保护器件，为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。

主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC、LDO系列、工业&车规传感器、高边开关（HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有：电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。

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