2026年第二季度，长鑫存储按营收计拿下全球DRAM市场10%的份额，同比大增150%，环比增长25%。这一增长在设备获取受限的背景下实现，同期三星、SK 海力士和美光不受此类限制。

当前全球DRAM市场格局中，三星以38%份额保持第一，SK海力士25%，美光24%。近几个季度三星持续巩固领先位置，SK海力士份额从一年前的39%下滑至25%，美光份额在22%-24%区间波动，南亚科份额从1%翻倍至2%。

但在 HBM领域，差距仍然明显。目前全球 HBM 营收仅由三家厂商构成：SK 海力士 50%、三星 33% 、美光 18%。长鑫存储尚未进入这一榜单，其 HBM3E 刚启动风险试产，营收贡献预计还需一至两个季度。

据长鑫科技披露上市后首份半年报，2026年上半年长鑫科技营收1503.10亿元，同比增长873.64%，净利润776.05亿元，Q2净利润环比增长113%。

长鑫科技总经理赵纶表示，公司 LPDDR 产品已具备与国际主流厂商竞争的能力，对包括苹果在内的客户合作持开放态度，HBM将按既定路线图推进。他指出，AI 算力需求带动DRAM供不应求、价格上涨，下半年公司将继续优化产品结构、保持高产能利用率。

存储市场的激烈竞争背后，是各类终端需求的持续放量——智能手机正是DRAM最大的应用场景之一。而如今一部高端手机动辄配备百瓦快充，充电功率越高，Type-C接口VBUS电源轨承受的浪涌与静电冲击风险就越大，后端快充与电源管理芯片的防护设计愈发关键。如何在紧凑的主板空间内实现可靠的电源轨防护，正考验着每一颗防护器件的选型。

深圳ESD芯片厂家晶扬电子推荐一款单向 TVS 瞬态抑制二极管——TS0571LB，采用 DFN1006 小型封装，适用于智能手机 Type‑C 接口 VBUS/V‑charge 充电电源轨，实现浪涌与静电防护，保障快充链路稳定可靠。

从核心电气参数来看：其**V_RWM 为 5V**，适配手机 5V 充电总线的正常工作电压，器件在正常供电状态下不会导通，不影响充电回路工作；击穿电压 V_BR=5.5V，钳位电压 V_C=12V@40A，一旦 VBUS 线路出现高压瞬态冲击，器件可快速导通，将浪涌电压钳位在后端电源芯片可承受的安全阈值，避免快充 IC、电源管理芯片被高压脉冲损毁。

漏电流 I_R 仅 0.5μA，待机漏电流极低，插入充电器静置时几乎不消耗电池电量，满足手机低功耗要求；结电容 Cj=150pF，电源轨对电容指标敏感度低于高速差分信号，该电容规格适配 VBUS 电源线路，不会干扰充电供电。峰值脉冲电流 I_PP=40A，峰值功耗 P_PK=400W，具备较强的抗浪涌能力，可应对插拔充电头、线缆插拔产生的静电、电快速脉冲以及线缆放电冲击。

封装采用 DFN1006 微型贴片封装，占用 PCB 面积小，契合智能手机主板紧凑化布局需求。器件为单向保护结构，适配 VBUS 电源轨的防护特性。

在 Type‑C 充电电路中，TS0571LB 并联在 V‑BUS 与 GND 之间。当插拔充电器产生浪涌、静电冲击时，TVS 迅速泄放脉冲大电流，把瞬态高压钳位，隔离后端 PMIC 快充芯片。

该器件主打 5V 充电轨的浪涌防护，适合手机 Type‑C 接口 V‑BUS 端口，兼顾小型封装、低漏电流与足够的浪涌耐受能力，是手机充电电源口经典的 TVS 选型方案。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。

晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者，更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者，专注于研发高效、可靠的ESD保护器件，为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。

主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC、LDO系列、工业&车规传感器、高边开关（HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有：电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。

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