AI算力爆发正重塑半导体产业格局。在GPU之外,磷化铟(InP)光芯片因数据中心“光进铜退”趋势,成为新的战略物资。它负责电光信号转换,是决定AI集群数据传输上限的核心器件。目前,全球光模块需求已超供应两倍,英伟达为锁定产能,已向两大核心供应商各注资20亿美元。

为应对这一缺口,诺基亚决定从采购方向上游制造延伸。今年8月,诺基亚正式收购恩智浦位于美国的6英寸晶圆厂,计划改造为InP产线,2027年初启动量产,整体交易预计2029年完成。此前,诺基亚已通过收购英飞朗获得加州晶圆厂和宾州封装厂,并将后者产能提升十倍,初步构建起覆盖制造与封装的自有产能体系。
在 AI 业务带动下,诺基亚业绩增长十分亮眼。2026年第二季度,诺基亚光网络业务销售额同比增长20%,面向AI客户的收入增幅达105%。其在北美光网络市场份额由6.3%升至27.3%。
转型亦面临挑战。晶圆厂改造与良率爬坡需较长周期,产能释放存在时间差,短期内难以缓解当前的供给紧张。同时,高利率环境可能抑制云厂商资本开支,或将影响长期订单的稳定性。资资本市场已经用 AI 企业标准给诺基亚估值,但盈利能力还需要时间验证。

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在AI算力爆发重塑半导体产业格局的浪潮中,从上游核心材料到下游关键防护,每一个环节都关乎着整个技术生态的稳定与效率。当数据中心的光通信需求日益迫切,消费电子的快充接口同样面临着高压与静电的严峻挑战,而精准的防护设计正是保障这些前沿技术落地应用的关键一环。
深圳ESD芯片厂家晶扬电子推荐一颗耐高压 TVS 浪涌防护元器件——TS1801NB,适用于消费电子 Type‑C 快充接口 CC、SBU 引脚,封装规格为 DFN1006,主要服务于 18‑V 档位快充设备的电路防护工作。
在日常使用当中,手机数据线插拔、接口金属触碰、线材引脚错位,会造成 CC/SBU 侦测引脚和高压 VBUS 电源引脚意外短接,瞬时高压很容易烧毁快充协议芯片与处理器 IO 端口。TS1801NB 最大工作电压可达 18V,开启电压 19 V,遭遇异常高压时能够立刻导通,峰值 28 A 的泄放电流可以快速疏导浪涌,把线路电压稳定钳位至 24.5 V,规避高压击穿风险。
静电防护层面,器件能够承受 30 kV 接触放电、30 kV 空气放电。人手触碰充电接口产生的静电脉冲可被器件吸收,杜绝静电引发快充识别失败、设备死机等故障。
该元件寄生电容仅有 25 pF,较低的容值不会干扰 CC 引脚的快充协议信号、SBU 旁路信号传输,保障设备正常识别快充线缆、切换充电功率。紧凑的 DFN1006 贴片封装,适配智能手机、平板、便携数码产品狭小的 PCB 空间。
作为 12V、15V、18V 整套 TVS 产品线当中的高压型号,TS1801NB 专门针对高压快充场景,提升 18V 快充档位下接口电路的可靠性,是大功率 Type‑C 快充设备必不可少的防护器件。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业,知识产权示范企业,建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心,荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司,在成都、武汉和加拿大设立有研发中心,拥有超百项知识产权和专利,业内著名的“电路与系统保护专家”。
晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者,更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者,专注于研发高效、可靠的ESD保护器件,为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。
主营产品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC、LDO系列、工业&车规传感器、高边开关(HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有:电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。
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